CN119768570A 用具有合成内衬的坩埚形成单晶硅锭的系统及方法 （环球晶圆股份有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119768570A

(43)申请公布日2025.04.04

(21)申请号202380061328.1

(22)申请日2023.07.24

(30)优先权数据

63/369,7862022.07.29US

(85)PCT国际申请进入国家阶段日2025.02.21

(86)PCT国际申请的申请数据

PCT/US2023/0284522023.07.24

(87)PCT国际申请的公布数据

WO2024/025821EN2024.02.01

(71)申请人环球晶圆股份有限公司

地址中国台湾新竹市工业东二路8号(72)发明人R·J·菲利普斯

(74)专利代理机构北京律盟知识产权代理有限责任公司11287

专利代理师江葳

(51)Int.Cl.

C30B15/10(2006.01)

C30B29/06(2006.01)

C30B35/00(2006.01)

权利要求书2页说明书8页附图7页

(54)发明名称

用具有合成内衬的坩埚形成单晶硅锭的系

统及方法

(57)摘要

CN119768570A本发明提供一种用于从硅熔体产生单晶硅锭的方法，其包含将坩埚设置于锭提拉器的内室内，所述坩埚包含内表面及在所述内表面上的合成内衬。所述方法进一步包含将多晶硅的初始进料添加