CN119767736A 一种耗尽型GaN器件及其制备方法 (润新微电子(大连)有限公司).docxVIP

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  • 2026-06-23 发布于山西
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CN119767736A 一种耗尽型GaN器件及其制备方法 (润新微电子(大连)有限公司).docx

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119767736A

(43)申请公布日2025.04.04

(21)申请号202510261179.4

(22)申请日2025.03.06

(71)申请人润新微电子(大连)有限公司

地址116085辽宁省大连市高新技术产业

园区七贤岭信达街57号工业设计产业园7号楼

(72)发明人任永硕王荣华梁辉南

(74)专利代理机构苏州创元专利商标事务所有限公司32103

专利代理师俞春雷

(51)Int.Cl.

H10D30/47(2025.01)

H10D30/01(2025.01)

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