GBT 43894.2-2026 半导体晶片近边缘几何形态评价 第2部分：边缘卷曲法（ROA）标准立项发展报告.docx

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半导体晶片近边缘几何形态评价第2部分：边缘卷曲法（ROA）标准立项发展报告

英文标题

StandardizationDevelopmentReport:SemiconductorWaferNear-EdgeGeometryEvaluationPart2:Roll-offAmount(ROA)

摘要

本报告旨在系统阐述国家标准GB/T43894.2-2026《半导体晶片近边缘几何形态评价第2部分：边缘卷曲法（ROA）》的立项背景、制定过程、技术内容及产业影响。随着半导体制造工艺向更小制程节点演进，晶片边缘的几何形态，尤其是边缘卷曲量（Roll-offAmount，简称ROA），已成为影响光刻精度、颗粒污染控制及最终芯片良率的关键因素。当前，国内尚无统一的ROA评价标准，产业界多采用企业内部规范或国外标准，导致检测数据可比性差，制约了产业链协同与质量提升。该标准的制定旨在填补国内空白，建立一套科学、统一、可操作的边缘卷曲量评价方法体系。报告详细介绍了该标准的技术框架，包括其基于国际SEMI标准体系、结合国内实际生产经验的测量原理、算法及判定规则。报告还重点介绍了标准主要起草单位之一的山东有研半导体材料有限公司在标准制定中的核心贡献。本标准的发布标志着我国在半导体材料精密检测标准化领域迈出了重要一步，对于提升国产半导体材料的国际竞争力，保障集成电路产业