CN119774559A 一种氮化钛薄膜的制备方法、氮化钛薄膜及半导体结构 （武汉楚兴技术有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119774559A

(43)申请公布日2025.04.08

(21)申请号202311287192.4

(22)申请日2023.10.07

(71)申请人武汉楚兴技术有限公司

地址430040湖北省武汉市东西湖区径河

街网安大道7号

(72)发明人胡颖熊高伟刘超飞

(74)专利代理机构北京集佳知识产权代理有限

公司11227

专利代理师张思淼

(51)Int.Cl.

C01B21/076(2006.01)

H01L21/768(2006.01)

H01L23/528(2006.01)

H01L23/532(2006.01)

C23C16/34(2006.01)

C23C16/44(2006.01)

权利要求书1页说明书5页附图2页

(54)发明名称

一种氮化钛薄膜的制备方法、氮化钛薄膜及

半导体结构

(57)摘要

CN119774559A本申请提供一种氮化钛薄膜的制备方法、氮化钛薄膜及半导体结构，向反应腔室通入四二甲基胺钛，四二甲基胺钛吸附在衬底表面，衬底位于反应腔室内；对四二甲基胺钛进行加热，分解得到二甲胺气体和位于衬底表面的第一氮化钛薄膜；向反应腔室通入金属盐，金属盐与二甲胺反应，得到位于衬底表面的第二氮化钛薄膜；第二氮化钛薄膜为具