CN119666905A 薄膜半导体材料环境失效的准原位x射线光电子能谱分析方法 (广东工业大学).pdfVIP

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  • 2026-06-24 发布于重庆
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CN119666905A 薄膜半导体材料环境失效的准原位x射线光电子能谱分析方法 (广东工业大学).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119666905A

(43)申请公布日2025.03.21

(21)申请号202411850031.6

(22)申请日2024.12.16

(71)申请人广东工业大学

地址510062广东省广州市越秀区东风东

路729号

(72)发明人严楷

(74)专利代理机构北京尚钺知识产权代理事务

所(普通合伙)11723

专利代理师陈雪莹

(51)Int.Cl.

G01N23/2273(2018.01)

权利要求书1页说明书4页附图2页

(54)发明名称

薄膜半导体材料环境失效的准原位X射线光

电子能谱分析方

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