GBT 47097-2026 氮化铝单晶抛光片标准立项发展报告.docxVIP

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  • 2026-06-25 发布于北京
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GBT 47097-2026 氮化铝单晶抛光片标准立项发展报告.docx

氮化铝单晶抛光片标准立项发展报告

标准编号:GB/T47097-2026

EnglishTitle

StandardizationDevelopmentReport:PolishedMonocrystallineAluminumNitrideWafers

摘要

本报告聚焦于国家标准GB/T47097-2026《氮化铝单晶抛光片》的立项、起草与未来发展。氮化铝(AlN)单晶材料作为超宽禁带半导体材料的典型代表,凭借其极高的热导率、优异的电绝缘性及与氮化镓(GaN)材料良好的晶格匹配度,在深紫外光电器件、高频大功率电子器件及微波通信领域展现出不可替代的核心地位。然而,长期以来,国内氮化铝单晶抛光片缺乏统一的产品标准,导致行业内产品质量参差不齐,阻碍了产业链的协同发展。本报告深入分析了该标准的编制背景、技术指标体系(包括位错密度、表面粗糙度、翘曲度、电阻率等关键参数),详细阐述了主要起草单位——中国电子科技集团公司第四十六研究所的专业技术实力与行业引领作用。报告结论指出,GB/T47097-2026的发布填补了国内在关键宽禁带半导体材料领域的标准空白,标志着我国在第三代/第四代半导体衬底材料标准化方面迈出了里程碑式的一步。该标准的实施将有效规范市场秩序,提升国产材料竞争力,并为未来高可靠性、高性能半导体器件的产业化提供坚实的标准保障。

关键词

GB/T47097-

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