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2026年长鑫存储校招面试+笔试全套试题及答案

一、单项选择题（总共10题，每题2分）

1.以下哪种存储器属于易失性存储？

A.NANDFlash

B.DRAM

C.硬盘

D.光盘

2.DRAM存储单元的核心结构是？

A.电容+MOS管

B.浮栅晶体管

C.电阻式开关

D.磁阻元件

3.半导体制造中，光刻工艺的关键目的是？

A.沉积金属层

B.定义电路图形

C.掺杂激活

D.抛光表面

4.以下哪项是DDR5内存相比DDR4的主要改进？

A.降低工作电压至1.2V

B.支持更高传输速率（如4800MT/s以上）

C.采用SLC存储单元

D.减少引脚数量

5.硅晶圆的主要原材料是？

A.二氧化硅

B.氮化镓

C.碳化硅

D.砷化镓

6.半导体制造中，CMP（化学机械抛光）的主要作用是？

A.去除光刻胶

B.平坦化晶圆表面

C.刻蚀金属层

D.注入离子

7.以下哪种存储技术属于非易失性且无需刷新？

A.SRAM

B.3DNAND

C.DRAM

D.寄存器

8.JEDEC组织的主要职责是？

A.制定半导体存储标准

B.研发光刻机

C.生产硅晶圆

D