CN119786384A 用于半导体蚀刻机台附属设备低温冷却降温控制方法 （凌恒半导体设备(苏州)有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119786384A

(43)申请公布日2025.04.08

(21)申请号202411856821.5

(22)申请日2024.12.17

(71)申请人凌恒半导体设备（苏州）有限公司

地址215222江苏省苏州市吴江区东太湖

生态旅游度假区（太湖新城）八坼社区

长青路238号

(72)发明人李宇祥张玉香张君艳

(74)专利代理机构北京凯谦巨邦专利代理有限

公司32303

专利代理师刘大勇

(51)Int.Cl.

H01L21/67(2006.01)

G05D23/20(2006.01)

权利要求书3页说明书7页附图2页

(54)发明名称

用于半导体蚀刻机台附属设备低温冷却降

温控制方法

(57)摘要

CN119786384A本发明涉及半导体蚀刻机台附属设备降温控制技术领域，且公开了用于半导体蚀刻机台附属设备低温冷却降温控制方法，根据蚀刻机内的工作部件的最佳工作温度对部件散热进行分区设置，并通过多组输液分泵和冷流量控制阀配合分别对各个散热分区进行独立供液输送，通过制冷液流量控制可实现对工作部件的分区散热控制，可有效提高设备的散热降温控制精准性，并在散热分区内的部分部件处设置有热循环管，通过外部热源可为分区内低温上限较高的工作部件提高辅热补偿，使分区内各部