教学材料《电路模型》_第七章.pptVIP

图7-7PN结外加反向电压返回图7-8常用二极管的符号、结构和外形示意图返回图7-15半导体三极管的基本结构返回图7-16半导体三极管的结构示意图及符号返回图7-24N沟道绝缘栅型场效应管的结构示意图及符弓返回图7-26N沟道增强型绝缘栅场

效应管的漏极特性返回图7-27N沟道增强型绝缘栅场效应管的转移特性返回7.1半导体PN结7.1.1半导体的特点半导体是制造晶体管的原料，之所以能得到广泛应用，主要原因并不在于它的电阻率大小，而在于其电阻率随温度、光照以及所含杂质的种类、浓度等条件的不同而i出现显著的差别。半导体的导电性能有如下一些显著特点。(1)半导体的电阻率随温度上升而明显下降，呈负温度系数的特性。(2)半导体的电阻率随光照的不同而改变。利用半导体的这一特性，可以用它作为光敏材料制成光敏元件。(3)半导体的电阻率与所含微量杂质的浓度有很大关系。下-页返回7.1半导体PN结7.1.2半导体的分类1．本征半导体常用的半导体材料有硅、锗和砷化镓等。纯净的不含杂质的半导体称为本征半导体。常用的本征半导体是硅和锗晶体，其原子结构有4个价电子。当硅和锗材料经过一定的工艺制成单晶体时，才能制作半导体器件。此时，它们的原子排列非常整齐、有规律。本征半导体在绝对温度T=OK和没有外界影响的