CN120205973A 一种局部梯度硅铝电子封装材料成型方法 (哈尔滨铸鼎工大新材料科技有限公司).pdfVIP

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  • 2026-06-25 发布于重庆
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CN120205973A 一种局部梯度硅铝电子封装材料成型方法 (哈尔滨铸鼎工大新材料科技有限公司).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN120205973A

(43)申请公布日2025.06.27

(21)申请号202510355069.4

(22)申请日2025.03.25

(71)申请人哈尔滨铸鼎工大新材料科技有限公

地址150000黑龙江省哈尔滨市经开区哈

平路集中区黄海路56号1-2栋

(72)发明人邢大伟赵永红

(74)专利代理机构安徽思尔六知识产权代理事

务所(普通合伙)34244

专利代理师詹朝

(51)Int.Cl.

B23K20/10(2006.01)

B21D22/02(2006.01)

B23K20/26(2006.01)

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