CN120210766A ReS2薄膜的制备方法、H2S气体传感器的制作方法、传感器及H2S气体浓度的检测方法 （重庆理工大学）.pdfVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN120210766A

(43)申请公布日2025.06.27

(21)申请号202510374365.9

(22)申请日2025.03.27

(71)申请人重庆理工大学

地址400054重庆市巴南区李家沱红光大

道69号

(72)发明人冯文林彭青华杨晓占成家豪

(74)专利代理机构重庆博凯知识产权代理有限

公司50212

专利代理师陆瑞

(51)Int.Cl.

C23C16/30(2006.01)

C23C16/02(2006.01)

C23C16/56(2006.01)

G01N27/416(200