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基于氮化镓的无线充电发射端（E类放大器）

摘要

无线充电技术因便捷性需求激增，但传统硅基方案在6.78MHz频段下效率不足，热损耗显著。本设计聚焦氮化镓（GaN）器件的E类放大器发射端，目标实现90%以上转换效率及稳定驱动发射线圈。核心方案采用GaNHEMT构建零电压开关（ZVS）拓扑，优化谐振网络参数以抑制开关损耗。

第一章分析无线充电效率痛点与GaN技术优势；第二章论证GaN器件高频特性对E类放大器的适配性；第三章量化需求指标如效率≥85%、频率容差±50kHz；第四章提出分层架构，划分控制与功率模块；第五章详述E类放大器参数计算与ZVS条件设计；第六章实现PCB布局与