CN119786341A 一种栅氧层制备方法、mosfet及电子设备 （华通芯电(南昌)电子科技有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119786341A

(43)申请公布日2025.04.08

(21)申请号202510273255.3

(22)申请日2025.03.10

(71)申请人华通芯电（南昌）电子科技有限公司

地址330000江西省南昌市南昌县小蓝经

济技术开发区小蓝中大道389号尚荣城产业园8栋6楼

(72)发明人请求不公布姓名请求不公布姓名请求不公布姓名郑文韬雷鸣

(74)专利代理机构北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)11201

专利代理师徐超

(51)Int.Cl.

H01L21/28(2025.01)

C23C16/40(2006.01)

C23C16/455(2006.01)

C23C16/56(2006.01)

权利要求书1页说明书5页附图1页

(54)发明名称

一种栅氧层制备方法、MOSFET及电子设备

(57)摘要

CN119786341A本发明涉及半导体技术领域，提供一种栅氧层制备方法、MOSFET及电子设备，栅氧层制备方法包括：提供一碳化硅基片，清洗碳化硅基片，并进行湿氧预处理，以于碳化硅基片的表面上形成第一氧化层；对形成第一氧化层的碳化硅基片进行高温热氧化，以于第一氧化层上生长第二氧化层；于第二氧化层上ALD沉积氧化膜，氧化膜包括氧