CN119786500A 对准标记制作方法、对准标记 （北京超弦存储器研究院）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119786500A

(43)申请公布日2025.04.08

(21)申请号202311293156.9

(22)申请日2023.10.08

(71)申请人北京超弦存储器研究院

地址100176北京市大兴区经济技术开发

区科创十街18号院11号楼四层401室

(72)发明人席家豪李亮梁迪姜淼师江柳

(74)专利代理机构华进联合专利商标代理有限

公司44224

专利代理师阚传猛

(51)Int.Cl.

H01L23/544(2006.01)

H01L21/02(2006.01)

G03F1/38(2012.01)

G03F7/20(2006.01)

G03F9/00(2006.01)

权利要求书2页说明书9页附图27页

(54)发明名称

对准标记制作方法、对准标记

(57)摘要

CN119786500A本发明涉及一种对准标记制作方法、对准标记，包括：提供衬底，衬底正面具有芯片区和标记区，芯片区用于制作半导体器件，标记区用于在芯片区制作半导体器件时膜层之间的对准，然后形成覆盖芯片区与标记区的功能层，根据目标盖层的厚度确定前层对准标记的目标占空比，然后根据确定的目标占空比在标记区的功能层内形成前层对准标记，再形成层间介质层，填充满前层对准标记，