CN119789471A 一种氮化镓外延结构及其制备方法 （中科(深圳)无线半导体有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119789471A

(43)申请公布日2025.04.08

(21)申请号202510284249.8

(22)申请日2025.03.11

(71)申请人中科（深圳）无线半导体有限公司

地址518000广东省深圳市南山区南头街

道马家龙社区南山大道3838号工业村

金栋309

(72)发明人汪连山麻胜恒孙文红吴义针陈福鑫

(74)专利代理机构北京国审领航知识产权代理事务所(特殊普通合伙)16157

专利代理师唐开强

(51)Int.Cl.

H10D30/47(2025.01)

H10D62/10(2025.01)

H10D30/01(2025.01)

C30B25/18(2006.01)

C30B29/40(2006.01)

权利要求书2页说明书7页附图2页

(54)发明名称

一种氮化镓外延结构及其制备方法

(57)摘要

CN119789471A本发明公开了一种氮化镓外延结构及其制备方法，属于半导体技术领域，包括：Si衬底、AlN成核层、具有矩形P型掺杂区的AlGaN缓冲层、GaN通道层、AlGaN势垒层；Si衬底上设置有AlN成核层；AlN成核层上设置有AlGaN缓冲层；AlGaN缓冲层上设置有GaN通道层；AlGa