CN119789459A 一种半超结侧面隔离平面栅碳化硅vdmos及制备方法 （泰科天润半导体科技（北京）有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119789459A

(43)申请公布日2025.04.08

(21)申请号202510272561.5

(22)申请日2025.03.10

(71)申请人泰科天润半导体科技（北京）有限公司

地址101300北京市顺义区中关村科技园

区顺义园临空二路1号

(72)发明人李昀佶周海施广彦何佳

(74)专利代理机构福州市京华专利代理事务所(普通合伙)35212

专利代理师刘晓明

(51)Int.Cl.

H10D30/01(2025.01)

H10D30/66(2025.01)

H10D62/10(2025.01)

权利要求书1页说明书5页附图10页

(54)发明名称

一种半超结侧面隔离平面栅碳化硅VDMOS及

制备方法

(57)摘要

CN119789459A本发明提供了一种半超结侧面隔离平面栅碳化硅VDMOS及制备方法，所述方法包括：在碳化硅衬底下侧面淀积金属，形成漏极金属层；外延生长，得到第一漂移区；离子注入形成第一源区；淀积形成第一绝缘介质层；外延生成形成第二漂移区，漂移层包括第一漂移区以及第二漂移区；离子注入形成第二源区，P型源区包括第一源区以及第二源区；淀积形成第二绝缘介质层，绝缘介质区包括第一绝缘介质层以及第二绝缘介质层；重新形成阻挡层，刻