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传感器与智能检测技术试卷参考答案

一、填空题（每空1分，共20分）

1．正压电效应、逆压电效应；2．单晶压电晶体、压电陶瓷、高分子压电材料；

3．传感器、通信、计算机；4．变遮盖面积型、变极距型、变介电常数型；5．铁芯、线圈、直线或角位移；6．外光电效应、光电导效应、光生伏特效应；7．磁敏、磁学、非接触测量。

二、单项选择题（每题1分，共10分）

1．B2．B3．B4．C5．B6．C7．A8．D9．A10．D

三、判断正误（1×15分）说法正确的在题后的（）内画√，错误的在题后的（）内画×。

1．×2．×3．×4．×5．×6．×7．√8．×9．×10．×

11．×12．×13．×14．√15．√

四、名词解释（每题5分，共20分）

1．某些物质，当沿着一定方向对其加力而使其变形时，在一定表面上将产生电荷，当外力去掉后，又重新回到正常的不带电状态，这种现象称为正压电效应。

2．将两种不同材料的导体接成一个闭合回路，当两个接点的温度不同时，在回路中就会产生热电动势，并在回路中有一定大小的电流，此种现象称为热电效应。

3．当晶体受热或冷却后，由于温度的变化而导致自发式极化强度变化，