PIN、NBP及NBN型InAsSb中波红外探测器光电性能研究.pdfVIP

云南师范大学学报(自然科学版)JournalofYunnanNormalUniversity

2016年9月36卷5期(Vo1．36No．5)DOI：10．7699／j．ynnu．ns一2016—066

PIN、NBP及NBN型InAsSb中波红外探测器光电性能研究

任洋，郝瑞亭，刘思佳，王国伟，徐应强，牛智川

(1．云南师范大学太阳能研究所，教育部可再生能源材料先进技术与制备重点实验室，云南省农村能源重点工程实验室，

云南昆明650500；2．中国科学院半导体超晶格国家重点实验室，北京100084；3．中国科学技术大学

量子信息与量子科技前沿协同创新中心，安徽合肥230026)

摘要：系统探索了GaSb(001)衬底上InAsSb体材料的分子束外延生长和PIN型、NBP型及NBN

型InAsSb单元单色红外探测器的制备工艺，并对其光学、电学等相关物理特性进行了研究对比．PIN型

InAsSb单元探测器的A为224Q·cI112(i00K)，77K下峰值探测率为3．6×10cmHz／