CN119790663A 基于单光子雪崩二极管的图像传感器及其驱动方法 （Xo半导体有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119790663A

(43)申请公布日2025.04.08

(21)申请号202280099938.6

(22)申请日2022.10.25

(30)优先权数据

10-2022-01226482022.09.27KR

(85)PCT国际申请进入国家阶段日2025.03.11

(86)PCT国际申请的申请数据

PCT/KR2022/0163362022.10.25

(87)PCT国际申请的公布数据

WO2024/071506KO2024.04.04

(71)申请人XO半导体有限公司地址韩国江原道

(72)发明人蔡瑛澈朴秉哲

(74)专利代理机构北京同立钧成知识产权代理

有限公司11205

专利代理师延美花刘芳

(51)Int.Cl.

H04N25/74(2023.01)

H10F30/225(2025.01)

H10F77/00(2025.01)

权利要求书2页说明书5页附图2页

(54)发明名称

基于单光子雪崩二极管的图像传感器及其

驱动方法

(57)摘要

CN119790663A根据本公开的一实施例，基于单光子雪崩二极管的图像传感器可以包括：单光子雪崩二极管（SPAD，SinglePhotonAvalancheDiode），生成与预定