硅二氧化硅系统的性质专题培训课件.pptVIP

硅-二氧化硅系统的性质;二氧化硅中的可动离子有Na、K、H等，其中最主要而对器件稳定性影响最大的是Na离子。

来源：使用的试剂、玻璃器皿、高温器材以及人体沾污等

为什么SiO2层中容易玷污这些正离子而且易于在其中迁移呢？

;二氧化硅结构的基本单元是一个由硅氧原子组成的四面体；

磷、硼等常以替代位形式居于四面体的中心；

Na、K等大离子存在于四面体之间，可以使网络结构变形，使二氧化硅呈现多孔性，从而导致Na、K大离子易于在二氧化硅中迁移或扩散。

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一般杂质在二氧化硅扩散时的扩散系数具有以下形式

磷和硼的值分别为和

而纳则为

由于Na的扩散系数远远大于其它杂质。根据爱因斯坦关系，扩散系数跟迁移率成正比，故Na离子在二氧化硅中的迁移率也特别大。;温度达到100摄氏度以上时，Na离子在电场作用下以较大的迁移率发生迁移运动。;;可动钠离子对器件的稳定性影响最大

（1）漏电增加，击穿性能变坏

（2）平带电压增加

如何解决钠离子玷污的问题

（1）把好清洁关

（2）磷蒸汽处理;二氧化硅层中固定电荷有如下特征

电荷面密度是固定的

这些电荷位于Si-SiO2界面20nm范围以内

固定表面电荷面密度的数值不明显地受氧化层厚度或硅中杂质类型以及浓度的影响

固定电荷面密度与氧化和退火条件，以及硅