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芯片工艺技术考核试题（含详细答案）

考试说明：本试卷满分100分，考试时间90分钟，适用于半导体芯片制造、晶圆工艺、微电子工艺岗位基础考核，题型包含选择题、填空题、简答题、工艺分析题，内容贴合量产实际工艺，无偏题、理论空题。

姓名：__________部门/班级：__________得分：__________

一、单项选择题（每题2分，共20分）

1、半导体芯片制造的核心基底材料是（）

A、二氧化硅B、单晶硅C、多晶硅D、氮化硅

2、晶圆清洗工艺的核心目的不包括（）

A、去除表面颗粒杂质B、去除有机油污C、打磨晶圆厚度D、去除金属离子污染

3、芯片光刻工艺中，决定图形最小线宽的关键因素是（）

A、光刻胶厚度B、曝光波长C、晶圆温度D、显影时间

4、刻蚀工艺中，相比于湿法刻蚀，干法刻蚀最大的优势是（）

A、成本更低B、各向异性好、线条精度高C、速度更快D、操作更简单

5、半导体工艺中，二氧化硅层的主要作用不包括（）

A、绝缘隔离B、掩蔽离子注入C、导电导通D、表面钝化保护

6、离子注入工艺的主要作用是（）

A、改变半导体导电类型和电阻率B、增厚晶圆表层C、抛光晶圆表面D、去除表层杂质

7、薄膜沉积工艺中，PVD工艺主要用于制备（）

A、金属薄膜B、氧化硅介质膜C、氮化