CN119789436A 自旋轨道矩磁性存储器及其制备方法 （中电海康集团有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119789436A

(43)申请公布日2025.04.08

(21)申请号202311291129.8

(22)申请日2023.10.07

(71)申请人中电海康集团有限公司

地址311100浙江省杭州市余杭区爱橙街

198号

(72)发明人顾耀玉李州刘波周铁军

(74)专利代理机构北京兰亭信通知识产权代理

有限公司11667

专利代理师陈晓瑜

(51)Int.Cl.

H10B61/00(2023.01)

H10N50/10(2023.01)

H10N50/01(2023.01)

权利要求书2页说明书7页附图5页

(54)发明名称

自旋轨道矩磁性存储器及其制备方法

(57)摘要

CN119789436A本发明提供一种自旋轨道矩磁性存储器及其制备方法，制备方法包括：在衬底上形成叠层单元和包覆叠层单元的介质层，叠层单元包括磁隧道结和SOT层，介质层包括顶部介质子层和侧部介质子层；在介质层上形成光刻处理层；图形化光刻处理层，以形成电互连沟槽；根据图形化后的光刻处理层刻蚀介质层，以露出SOT层的上表面或露出SOT层的侧壁；沉积导电材料，形成覆盖介质层的导电层；平坦化导电层，以使导电层形成至少两个相互独立的导电结构。本发明能够降低底部钉扎型SOT_MR