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2026年电子工程基础知识电子技术应用题库

一、选择题（每题2分，共20题）

1.半导体PN结在正向偏置时，其主要特性是（）。

A.截止状态

B.导通状态

C.隔离状态

D.高阻态

2.三极管放大电路中，若基极电流IB增大10%，则集电极电流IC的变化量约为（）。

A.10%

B.20%

C.30%

D.100%

3.理想运算放大器的开环增益A?通常为（）。

A.1

B.103

C.10?

D.10?

4.在数字电路中，TTL逻辑门与CMOS逻辑门的主要区别在于（）。

A.传输速度

B.功耗

C.输出电压摆幅

D.以上都是

5.RLC串联电路发生谐振时，电路呈（）。

A.容性

B.感性

C.纯阻性

D.纯感性

6.在电力电子技术中，IGBT（绝缘栅双极晶体管）通常用于（）。

A.高频开关

B.低频放大

C.高压大电流驱动

D.微弱信号处理

7.光电二极管的工作原理是基于（）。

A.光电效应

B.霍尔效应

C.霍夫曼效应

D.法拉第效应

8.在射频电路中，常用的阻抗匹配网络是（）。

A.LC调谐电路

B.π型或T型电阻网络

C.变压器

D.以上都是

9.ARM处理器中，Cortex-M系列属于（）。

A.32位处理器

B.16位处理器

C.8位处理器