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CN119855217A 沟槽栅ldmos结构及其制备方法 （杭州富芯半导体有限公司）.pdfVIP

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  • 2026-06-28 发布于重庆
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CN119855217A 沟槽栅ldmos结构及其制备方法 （杭州富芯半导体有限公司）.pdf

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN119855217A

    (43)申请公布日2025.04.18

    (21)申请号202411874372.7

    (22)申请日2024.12.18

    (71)申请人杭州富芯半导体有限公司

    地址3

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