250V N沟道MOSFET特性与应用概述.pdfVIP

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FQD9N25TM_F085

250VN沟道MOSFET

概述

这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用Fairchild专有的平面条纹DMOS技术制造。

这种先进技术特别针对降低导通电阻、卓越的开关性能以及在雪崩和换向模式下

承受高能量脉冲进行了优化。这些器件非常适合用于高效开关DC/DC转换器和开关电

源。

特性

•7.4A，250V，RDS(导通)= 0.42Ω@VGS 10V

•低栅极电荷（典型值15.5nC）

•低Crss（典型值15pF）

•快速开关100%雪崩

测试

•改进的dv/dt能力符合

RoHS符合AECQ101

认证

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FQD9N25TM_F085

250VN-ChannelMOSFET

GeneralDescription

TheseN-Channel