计算机行业深度报告-金刚石散热-新一代AI散热方案.pptxVIP

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1. 金刚石散热是AI散热前沿方向

AI芯片功耗提高，金刚石散热成为未来重要解决方案。随着2.5D/3D异构集成技术（如CoWoS、SOIC）的普及，芯片内部的热流密度呈指数级上升。局部热点不仅会导致漏电流增加，更会引发电迁移和热应力，严重影响芯片寿命和算力释放。在众多导热材料中，金刚石凭借其优异的物理特性脱颖而出：

极高的热导率：室温下，CVD单晶金刚石的热导率可达2200W/(m·K)，是铜（401W/(m·K)）的5倍以上，是硅（149W/(m·K)）的近15倍。

优异的绝缘性：金刚石具有极高的电阻率和击穿电压，使其能够直接贴装在裸片表面，而无需额外的绝缘层。

低热膨胀系数（CTE）：金刚石的CTE约为1.1ppm/K，与硅（2.6ppm/K）较为接近，能够有效降低热循环中的热应力。;行业深度报告;行业深度报告;行业深度报告;行业深度报告;行业深度报告

2.3.大规模商业化落地仍有多方面问题

热膨胀系数不匹配导致“翘曲”。金刚石与硅（Si）、碳化硅（SiC）等芯片常用衬底的热膨胀系数差异较大。通过CVD工艺在异质衬底上高温生长出来的金刚石，在降温剥离时内部会积聚巨大的应力，导致毫米甚至厘米级的形变。这种微小的翘曲对于纳米级精度的AI芯片晶圆工艺是致