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半导体设计与制造手册（执行版）

第1章半导体器件基础与物理特性

1.1晶体结构与能带理论

半导体材料（以硅Si为例）的宏观性能取决于其微观晶体结构。硅原子通过共价键相互连接，形成规则的金刚石结构，每个原子周围有4个最近邻原子，这种周期性排列是理解能带理论的基础。当晶体受到外力时，晶格会发生微小的位移，这种位移会导致原子的振动幅度增大，从而产生散射效应，降低载流子的迁移率。在纯净的晶体中，电子和空穴都被束缚在共价键中，无法自由移动，因此电导率极低。

晶体结构决定了能带的宽度，硅的禁带宽度（BandGap）约为1.12eV，这使得它在室温下具有适中的导电性，既不像金属那样导电，也不像绝缘体那样绝缘。价带（ValenceBand）位于低能级，由充满电子的原子轨道组成；导带（ConductionBand）位于高能级，由能量较高的空轨道组成，电子跃迁至此即可成为自由载流子。

禁带（BandGap）是价带顶和导带底之间的能量区间，电子必须吸收足够的光子或热能才能跨越此区间，从而从价带激发到导带，形成电子-空穴对。费米能级（FermiLevel）是电子填充能级的统计分布分界线，在绝对零度时位于价带顶，随温度升高和掺杂会向禁带中间移动。电子的有效质量（EffectiveMass）不同于自由电子质量，它反映了电子在晶体势场中运动的难易程度，轻的载流子迁移