高功率半导体激光列阵芯片测试表征与仿真优化.pptxVIP

content目录01研究背景与技术挑战02理论分析与物理机制建模03测试系统搭建与实验表征方法04高温特性实验结果与损耗机制解析05外延结构仿真与多目标优化设计06热管理与可靠性提升策略07研究总结与前沿展望

研究背景与技术挑战01

高功率半导体激光列阵在先进制造、光通信与聚变能源中的核心地位日益凸显先进制造核心高功率半导体激光列阵广泛应用于激光切割、焊接与增材制造，具备高光电转换效率与紧凑结构优势。其稳定输出特性成为工业精密加工的关键驱动力。光通信基石在高速光通信系统中，该芯片作为泵浦源支撑光纤激光器运行，满足大带宽、低延迟数据传输需求。AI与数据中心发展进一步推动其高性能化演进。聚变能源光源惯性约束核聚变依赖高能激光驱动靶丸，半导体激光列阵以其高功率密度和可扩展性成为理想泵浦源。国家战略性布局加速其在能源领域的应用探索。

工作温度升高导致电光转换效率下降，成为制约器件稳定性的关键瓶颈效率下降原因温度升高导致电光转换效率下降，主要由于载流子非辐射复合增强。材料能带偏移和载流子泄漏进一步加剧性能退化。这些问题直接影响内量子效率与输出稳定性。热管理瓶颈芯片与热沉间存在高界面热阻，限制热量有效传导。集中热量难以及时散出，易形成局部热点。现有散热设计难以满足高功率下的热管理需求。载流子复合增强高温促进非辐射复合过程，减少可用于发光的载流子数量。这直接降低内量子效率。是效率衰减的关键机制