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三维封装集成中硅通孔转接板背面互连技术的探索与突破

一、引言

1.1研究背景与意义

随着现代电子设备对高性能、小型化和多功能化的需求日益增长，三维封装集成技术应运而生并迅速发展。传统的二维封装技术在面对不断提升的性能要求时，逐渐显露出其局限性，如信号传输延迟大、功耗高以及集成度难以进一步提高等问题。而三维封装集成技术通过将多个芯片在垂直方向上进行堆叠和互连，有效缩短了信号传输路径，降低了功耗，显著提高了芯片的集成度和性能，为实现电子设备的小型化、轻量化和高性能化提供了关键解决方案。

在三维封装集成技术中，硅通孔转接板（Through-SiliconViaInterposer，TSV