CN119890191A 接触-通孔蚀刻工艺的测量结构、监测方法及半导体结构 (杭州积海半导体有限公司).pdfVIP

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  • 2026-06-29 发布于重庆
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CN119890191A 接触-通孔蚀刻工艺的测量结构、监测方法及半导体结构 (杭州积海半导体有限公司).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119890191A

(43)申请公布日2025.04.25

(21)申请号202510352504.8

(22)申请日2025.03.25

(71)申请人杭州积海半导体有限公司

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