CN119814011A 基于mos管的自适应偏置电压优化方法及相关设备 （深圳市深鸿盛电子有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119814011A

(43)申请公布日2025.04.11

(21)申请号202510294734.3

(22)申请日2025.03.13

(71)申请人深圳市深鸿盛电子有限公司

地址518000广东省深圳市南山区南山街

道荔湾社区月亮湾大道前海诚进大厦

402、403、404

(72)发明人张西刚李杲宇

(74)专利代理机构深圳卓瀚知识产权代理有限

公司441109

专利代理师苏登

(51)Int.Cl.

H03K17/082(2006.01)

G06F18/241(2023.01)

H03K17/687(2006.01)

G01R31/26(2020.01)

权利要求书3页说明书14页附图2页

(54)发明名称

基于MOS管的自适应偏置电压优化方法及相

关设备

(57)摘要

CN119814011A本发明涉及一种基于MOS管的自适应偏置电压优化方法相关设备，应用于栅极驱动电路，包括以下步骤：对栅极驱动电路工作状态下的目标MOS管进行实时监测，得到目标MOS管的工作参数；基于预设的偏置电压需求预测模型，基于所述工作参数对所述目标MOS管进行偏置电压需求预测，得到偏置电压需求值；对所述偏置电压需求值进行数字化信号处理，以转化为控制信号；将所述控制信号施