浅沟槽隔离工艺与浅沟槽隔离结构详解.pdfVIP

（19）中华人民共和国国家知识产权局

（12）发明专利申请

名称浅沟槽隔离工艺及浅沟槽隔离结构摘要本发明公开了一种浅沟槽隔离工艺及浅沟槽隔离结构该浅沟槽隔离工艺包括在硅衬底表面依次淀积第一厚度的厚栅氧层和第二厚度的氮化硅层对厚栅氧层氮化硅层和硅衬底进行处理以形成凹槽在凹槽中填充浅沟槽隔离介质直至浅沟

（10）申请公布号

CN111341724A

（43）申请公布日2020.06.26

（21）申请号CN201811561799.6

（22）申请日2018.12.19

（71）申请人上海新微技术研发中心有限公司

地址201800上海市嘉定区城北路235号3号楼

（72）发明人陈爱军;居健

（74）专利代理机构北京知元同创知识产权代理事务所(普通合伙)