TCASAS 061—2026《SiC MOSFET模块局部放电试验方法》.docxVIP

  • 0
  • 0
  • 约1.92万字
  • 约 40页
  • 2026-07-02 发布于河南
  • 举报

TCASAS 061—2026《SiC MOSFET模块局部放电试验方法》.docx

ICS31.080.01CCSL40

团体标准

T/CASAS061—2026

SiCMOSFET功率模块局部放电试验方法

Partialdischargetestmethodforsiliconcarbidemetal-oxide-semiconductorfield-effecttransistor(SiCMOSFET)powermodule

2026-06-30发布2026-06-30实施

第三代半导体产业技术创新战略联盟发布

T/CASAS061—2026

I

目次

前言 III

引言 IV

1范围 1

2规范性引用文件 1

3术语和定义 1

4原理 3

4.1局部放电物理背景 3

4.2局部放电测试原理 3

5仪器设备 3

5.1仪器设备的主要组成 3

5.2方波脉冲发生装置 4

5.3局部放电检出装置 4

5.3.1耦合电容配合检测阻抗 5

5.3.2高频电流传感器 5

文档评论(0)

1亿VIP精品文档

相关文档