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CN119317159A 一种新型超结沟槽mos功率器件及其制备方法 （凌锐半导体(上海)有限公司）.pdfVIP

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  • 2026-07-01 发布于重庆
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CN119317159A 一种新型超结沟槽mos功率器件及其制备方法 （凌锐半导体(上海)有限公司）.pdf

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN119317159A

    (43)申请公布日2025.01.14

    (21)申请号202411823204.5H10D30/01(2025.01)

    H10D62/10(2025.01)

    (22)申请日2024.12.12

    (71)申请人凌锐半导体（上海）有限公司

    地址201204上海市浦东新区环科路999弄

    浦东国际人才港13号楼302室

    (72)发明人塞萨尔·龙思万里马丁虎

    胡舜涛庞方杰顾海彬刘桂新

    李防化

    (74)专利代理机构北京慕达星云知识产权代理

    事

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