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绝缘层上锗材料特性、制备及硅基锗波导型探测器的研究与应用

一、引言

1.1研究背景与意义

在当今信息技术飞速发展的时代，半导体材料与器件作为信息产业的基石，其性能的提升对于推动整个行业的进步至关重要。绝缘层上锗（GOI）材料以及Si基Ge波导型探测器作为半导体领域的重要研究方向，正逐渐成为学术界和产业界关注的焦点。

GOI材料结合了锗（Ge）材料的高载流子迁移率和绝缘衬底的优势，在集成电路和光电子器件应用中展现出巨大潜力。Ge材料的空穴迁移率几乎是所有半导体中最高的，且与硅工艺兼容性好，Si-Ge无限互溶，这使得GOI材料成为下一代硅基CMOS器件的重要候选材料之