CN119817194A Iii-v族化合物半导体发光元件和iii-v族化合物半导体发光元件的制造方法 （同和电子科技有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119817194A

(43)申请公布日2025.04.11

(21)申请号202380062529.3

(22)申请日2023.08.28

(30)优先权数据

2022-1395792022.09.01JP2023-1375162023.08.25JP

(85)PCT国际申请进入国家阶段日2025.02.27

(86)PCT国际申请的申请数据

PCT/JP2023/0310462023.08.28

(87)PCT国际申请的公布数据

WO2024/048538JA2024.03.07

(71)申请人同和电子科技有限公司地址日本

(72)发明人小鹿优太门胁嘉孝

(74)专利代理机构北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)11277

专利代理师刘新宇李恩华

(51)Int.Cl.

H10H20/824(2025.01)

权利要求书1页说明书17页附图6页

(54)发明名称

III-V族化合物半导体发光元件和III-V族

化合物半导体发光元件的制造方法

(57)摘要

CN119817194A提供与以往的发光元件相比单位注入电力的发光功率良好的III_V族化合物半导体发光元件。本发明的III_V族化合物半导体发光元件依次具有n型包层、发光层、p型包层