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抗总剂量辐射效应大头条形栅MOS管版图加固方案.pdf

抗总剂量辐射效应大头条形栅MOS管版图加固方案.pdf

    （19）中华人民共和国国家知识产权局

    （12）实用新型专利

    源区内设有栅极端场氧区对称分布于栅极端两侧所述栅极端包括中间部及对称分布于所述中间部上的大头端部所述大头端部的宽度大于中间部的端部有源区上对应于中间部的两侧设置源端及漏端本实用新型在总剂量条件下对能有效制边缘寄生管导通不但可以节省面积同时不（10）申请公布号

    CN202332861U

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