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《半导体光电学》课后习题试卷及答案

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

1.直接带隙半导体与间接带隙半导体的主要区别是（）

A.导电类型不同

B.电子跃迁是否需要声子参与

C.禁带宽度不同

D.载流子类型不同

2.光生伏特效应的本质是半导体将（）能转换为（）能

A.光→热

B.电→光

C.光→电

D.热→电

3.在半导体中，费米能级的位置主要取决于（）

A.温度

B.掺杂浓度

C.光照强度

D.晶格结构

4.爱因斯坦光电方程的表达式为（）

A.E=hν

B.hν=W+Ek

C.I=ηP

D.R=I/P

5.PIN光电探测器比普通PN结光电探测器响应度高的主要原因是（）

A.掺杂浓度更高

B.耗尽层宽度增加

C.结电容更小

D.暗电流更低

6.半导体光吸收系数的大小主要取决于（）

A.载流子迁移率

B.光子能量与禁带宽度

C.环境温度

D.外加电场

7.LED发光的基本原理是（）

A.光电导效应

B.光生伏特效应

C.电致发光

D.热辐射

8.太阳能电池的填充因子FF定义为（）

A.FF=(Isc×Voc)/P

B.FF=(Pmax)/(Isc×Voc)

C.FF=Voc/Vth

D.FF