贴片热电阻工艺集成规范.docxVIP

贴片热电阻工艺集成规范

贴片热电阻工艺集成规范

一、（1）原材料入厂检验与基片制备工艺规范。贴片热电阻（含NTC热敏电阻及薄膜铂RTD贴片元件）的生产始于原材料的严格控制与陶瓷基片的精密制备。原材料入厂须按AQL0.65标准抽样检验，NTC热敏电阻所用金属氧化物粉料（如锰、钴、镍、铁氧化物）应检测其纯度（≥99.5%）、粒度分布（D50控制在0.5至2微米）、比表面积及杂质含量，并核查供方提供的X射线衍射物相分析报告确认主晶相组成。对于薄膜铂RTD所用氧化铝或氮化铝陶瓷基板，要求基板单面粗糙度Ra≤25nm、翘曲度≤0.05%、绝缘电阻≥1012Ω（500VDC）、热膨胀系数与铂膜匹配（氧化铝约7.2×10??/K）。基片制备阶段，NTC瓷料按配方将过渡金属氧化物粉体与有机黏合剂（PVB或PVA）、增塑剂（邻苯二甲酸二丁酯）、分散剂及有机溶剂按质量比100:8至12:3至5:40至60配浆，经行星式球磨20至24小时至浆料细度≤5微米、粘度控制在8000至15000厘泊。采用流延成型法制备生坯带，流延刀口高度设定为最终素坯厚度加收缩余量（通常生坯厚度200至500微米对应烧结后100至300微米），干燥条件为温度40至60摄氏度、相对湿度30%至40%、时间4至8小时。流延生坯经冲裁成方片后进入排胶与烧结工序，排胶程序为在空气气氛中以0.5至1摄氏度/分钟升温至500