(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
晶圆工艺的切割方法包括备有硅晶圆于硅晶圆正面形成有一金属层该金属层形成有一凸块层在该凸块层上贴覆有一晶背研磨贴带于该硅晶圆背面上进行半切割形成切割道接着对该硅晶圆的背面进行研磨至所预定的厚度后仅存部分的切割道将晶背研磨贴带剥去将该硅晶圆背面
(10)申请公布号
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