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模电题库及答案选填题

一、半导体器件基础（共100分）

1.选择题（每题5分，共50分）

1.半导体导电的载流子主要是：

A.自由电子

B.空穴

C.自由电子和空穴

D.离子

答案：C

解析：半导体材料中存在两种载流子：自由电子和空穴，它们共同参与导电过程。纯半导体（本征半导体）中，自由电子和空穴数量相等；掺杂半导体（N型或P型）中，多数载流子数量远多于少数载流子。

2.PN结正偏时，空间电荷区将：

A.变宽

B.变窄

C.不变

D.消失

答案：B

解析：当PN结正向偏置时，外电场与内电场方向相反，削弱了内电场，使空间电荷区变窄，有利于多数载流子的扩散运动，形成较大的正向电流。

3.二极管的正向压降约为：

A.0.1V-0.3V

B.0.5V-0.7V

C.1V-1.5V

D.2V-3V

答案：B

解析：硅二极管的正向压降通常在0.5V-0.7V之间，锗二极管的正向压降约为0.1V-0.3V。这是由于半导体材料的禁带宽度不同导致的。

4.二极管的反向饱和电流随温度升高而：

A.减小

B.增大

C.不变

D.先减小后增大

答案：B

解析：二极管的反向饱和电流是由少数载流子形成的，而少数载流子的浓度