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面向2.5D集成电路的硅转接板TSV微凸点热超声倒装键合头变幅杆机构设计

摘要

随着2.5D集成电路对高密度互连的需求激增，硅转接板通孔（TSV）微凸点倒装键合工艺面临键合强度不足与热疲劳损伤等现实痛点。本课题面向高精度封装需求，设计一种具备振幅放大功能的热超声倒装键合头变幅杆机构。全文遵循“需求分析→总体设计→详细设计→实现→测试”的工程递进思路展开。首先，分析微凸点键合的工艺痛点与变幅杆设计需求；其次，完成键合头总体架构与变幅杆结构设计；随后，深入推导变幅杆振幅放大公式，建立超声与热场耦合疲劳仿真模型；最终，通过优化变幅杆节点位置提升键合强度并进行实验验证。核心创新在于提出一种基于多物理场耦合的变幅杆节点位置优化算法，有效抑制了超声振动下的热应力集中，显著提升了TSV微凸点的键合质量与可靠性。

第一章绪论

1.1研究背景

2.5D集成电路凭借硅转接板（SiliconInterposer）与通孔（TSV）技术，实现了多裸片间的高密度、高带宽互连，已成为突破摩尔定律极限的关键路径。在此架构中，微凸点作为芯片与转接板电气与机械连接的核心纽带，其键合质量直接决定了封装的可靠性。

随着互连节距缩小至40μm乃至更低，传统热压键合与回流焊工艺面临严峻挑战。微凸点尺寸微小，传统热压易导致周围低介电常数材料受损，而回流焊则因间距过小引发桥接短路。热超声倒装键合通过引入超