CN119833499A 半导体器件和形成半导体器件的方法 （台湾积体电路制造股份有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119833499A

(43)申请公布日2025.04.15

(21)申请号202411906016.9

(22)申请日2024.12.23

(30)优先权数据

63/613,1402023.12.21US

18/655,9992024.05.06US

(71)申请人台湾积体电路制造股份有限公司地址中国台湾新竹

(72)发明人杨芷欣李昀昇

(74)专利代理机构北京德恒律治知识产权代理

有限公司11409

专利代理师章社杲李伟

(51)Int.Cl.

H01L23/48(2006.01)

H01L23/522(2006.01)

H01L23/528(2006.01)

H01L23/538(2006.01)

H01L21/768(2006.01)

权利要求书2页说明书17页附图33页

(54)发明名称

半导体器件和形成半导体器件的方法

(57)摘要

CN119833499A在实施例中，半导体器件可以包括第一结构，第一结构包括第一表面和与第一表面相对的第二表面。第一结构可以包括：第一衬底和从第一衬底的第二表面暴露的第一衬底贯通孔(TSV)。第一TSV具有第一宽度。半导体器件可以还包括从第一结构的第二表面暴露的第二TSV，第二TSV具有小于第一