CN119833523A 半导体结构及其形成方法 （中芯国际集成电路制造(北京)有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119833523A

(43)申请公布日2025.04.15

(21)申请号202311331009.6

(22)申请日2023.10.13

(71)申请人中芯国际集成电路制造(北京)有限公司

地址100176北京市大兴区经济技术开发

区文昌大道18号

申请人中芯京城集成电路制造（北京）有限

公司

中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

(72)发明人王锦喆马莹

(74)专利代理机构北京集佳知识产权代理有限

公司11227

专利代理师吴敏

(51)Int.Cl.

H01L25/16(2023.01)

H10B80/00(2023.01)

H01L23/48(2006.01)

H01L23/528(2006.01)H01L21/50(2006.01)H01L21/768(2006.01)

权利要求书3页说明书9页附图7页

(54)发明名称

半导体结构及其形成方法

(57)摘要

CN119833523A一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供存储晶圆，存储晶圆包括第二衬底，具有相对的第三面与第四面，包括位于第三面上的第二器件层；提供第一衬底，包括第一半导体层、位于第一半导体层表面的埋氧层以及位于埋氧层表面的第二半导体层，第一衬底包括相对的