CN119835939A 存储器结构及其形成方法 （中芯国际集成电路制造(北京)有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119835939A

(43)申请公布日2025.04.15

(21)申请号202311331623.2

(22)申请日2023.10.13

(71)申请人中芯国际集成电路制造(北京)有限公司

地址100176北京市大兴区经济技术开发

区文昌大道18号

申请人中芯国际集成电路制造(上海)有限

公司

(72)发明人黄兴凯

(74)专利代理机构北京集佳知识产权代理有限

公司11227

专利代理师吴敏

(51)Int.Cl.

H10B41/30(2023.01)

H01L21/28(2006.01)

权利要求书3页说明书11页附图29页

(54)发明名称

存储器结构及其形成方法

(57)摘要

CN119835939A一种存储器结构及其形成方法，其中方法包括：在衬底上形成若干垫层结构以及位于垫层结构表面的有源层，各垫层结构沿第二方向与第一方向阵列排布，有源层覆盖垫层结构的顶部和垫层结构沿第一方向的侧壁，有源层暴露垫层结构沿第二方向的侧壁，有源层沿第一方向延伸且沿第二方向平行排布；在第二方向上相邻垫层结构之间形成隔离结构并在各垫层结构上的有源层表面形成若干浮栅，隔离结构的顶部表面高于或齐平于有源层底部表面，浮栅在第二方向上位于相邻隔离结构之间；在浮栅表面和隔离结构表面形