CN119833574A 一种含复合纳米碳化硅的钠离子电池极片及其制备方法 （中自科技股份有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119833574A

(43)申请公布日2025.04.15

(21)申请号202510023074.5

(22)申请日2025.01.07

(71)申请人中自科技股份有限公司

地址611731四川省成都市高新区古楠街

88号

(72)发明人鲜建赵金玲朱晓艳成天琼

徐兆健陈溢卓卿文凤潘光彩张雅荣王金凤王云李云

陈启章

(74)专利代理机构成都四合天行知识产权代理

有限公司51274

专利代理师王麒懿

(51)Int.Cl.

H01M4/136(2010.01)

H01M4/1397(2010.01)

H01M10/054(2010.01)

B82Y30/00(2011.01)

权利要求书1页说明书6页附图1页

(54)发明名称

一种含复合纳米碳化硅的钠离子电池极片

及其制备方法

(57)摘要

本发明公开了涉及钠离子电池极片领域的一种含复合纳米碳化硅的钠离子电池极片及其制备方法，含复合纳米碳化硅的钠离子电池极片包括0.5Wt%~5Wt%的纳米碳化硅颗粒和0.5Wt%~5Wt%的碳化硅晶须，以重量百分比计；所述纳米碳化硅颗粒与所述碳化硅晶须的重量比为1~2：

CN119833574A1。本发明通过加入碳化