CN119836224A 电容结构及其制备方法 （江苏卓胜微电子股份有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119836224A

(43)申请公布日2025.04.15

(21)申请号202311319232.9

(22)申请日2023.10.12

(71)申请人江苏卓胜微电子股份有限公司

地址214072江苏省无锡市滨湖区建筑西

路777号A3幢11层

(72)发明人沈万武谢益诚姚磐施文强王朝晖张京晶

(74)专利代理机构华进联合专利商标代理有限

公司44224

专利代理师吴平

(51)Int.Cl.

H10N97/00(2023.01)

H01L23/64(2006.01)

权利要求书2页说明书7页附图4页

(54)发明名称

电容结构及其制备方法

(57)摘要

CN119836224A本申请涉及一种电容结构及其制备方法，电容结构的制备方法包括：提供衬底，衬底上形成有第一扩散阻挡层；控制工艺腔室的温度为第一温度；在第一温度的工艺条件下，于第一扩散阻挡层上形成第一极板层；于第一极板层上依次形成应力缓冲层与第二扩散阻挡层；在第二温度的工艺条件下，于第二扩散阻挡层上形成介质层，其中，第一温度小于第一预设温度，第二温度大于第二预设温度，且第二预设温度大于第一预设温度；于介质层上形第二极板层。本申请提供的电容结构及其制备方法，通过在第一温度的工艺条件下形成第