CN119833393A 半导体器件生产用复合基底的制备方法 （广州志橙半导体有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119833393A

(43)申请公布日2025.04.15

(21)申请号202510182027.5

(22)申请日2025.02.19

(71)申请人广州志橙半导体有限公司

地址510000广东省广州市黄埔区永新街

23号

(72)发明人杨伟锋靳彩霞朱佰喜黄宇鹏秦志波

(74)专利代理机构深圳汉林汇融知识产权代理事务所(普通合伙)44850

专利代理师刘临利

(51)Int.Cl.

H01L21/02(2006.01)

C04B41/87(2006.01)

C04B41/50(2006.01)

B05D7/24(2006.01)

B05D1/00(2006.01)

权利要求书2页说明书9页附图1页

(54)发明名称

半导体器件生产用复合基底的制备方法

(57)摘要

CN119833393A本发明提出一种半导体器件生产用复合基底的制备方法，步骤包括：将原料碳放置进氢气氛围的反应室，将反应室抽至真空，升温至1000~1500℃,例如可以是1000℃、1200℃、1500℃,保温1~3h，冷却清洁后得到碳基底；对钽源、钽的氟化物以及助熔剂进行研磨混合，得到涂层粉体；将涂层粉体转移至带有脉冲电场的反应室中，进行脉冲电场辅助气相沉积，