CN119835940A 半导体结构及其形成方法 （中芯国际集成电路制造(上海)有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119835940A

(43)申请公布日2025.04.15

(21)申请号202311322479.6

(22)申请日2023.10.12

(71)申请人中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

地址201203上海市浦东新区中国（上海）

自由贸易试验区张江路18号

(72)发明人郁万强钟怡董天化曾红林

(74)专利代理机构上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31327

专利代理师高静

(51)Int.Cl.

H10B41/35(2023.01)

H10B41/41(2023.01)

H10B41/42(2023.01)

权利要求书2页说明书9页附图5页

(54)发明名称

半导体结构及其形成方法

(57)摘要

CN119835940A一种半导体结构及其形成方法，结构包括：基底；分栅结构，分立于所述基底顶部，所述分栅结构包括浮栅结构和控制栅结构，所述浮栅结构沿第一方向和第二方向呈矩阵分布，所述第一方向与所述第二方向相垂直，所述控制栅结构沿所述第二方向延伸且横跨所述浮栅结构，所述控制栅结构覆盖所述浮栅结构的顶部和侧壁；选择栅结构，位于相邻所述分栅结构之间且覆盖所述基底，所述选择栅结构覆盖所述分栅结构的侧壁。由于对控制栅结构施加的电压值得到减小