CN119833473A 一种半导体器件的制作方法 （江苏卓胜微电子股份有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119833473A

(43)申请公布日2025.04.15

(21)申请号202311326440.1

(22)申请日2023.10.13

(71)申请人江苏卓胜微电子股份有限公司

地址214000江苏省无锡市滨湖区建筑西

路777号A3幢11层

(72)发明人张梦雪杨政王旭丁超白宇张京晶

(74)专利代理机构上海光华专利事务所(普通合伙)31219

专利代理师李仪萍

(51)Int.Cl.

H01L21/768(2006.01)

权利要求书2页说明书6页附图4页

(54)发明名称

一种半导体器件的制作方法

(57)摘要

CN119833473A本发明提供一种半导体器件的制作方法，包括：提供一待刻蚀结构，待刻蚀结构上设置有不定型碳掩膜层和硬掩模层，硬掩模层中设有第一开口和第二开口；采用第一刻蚀气体刻蚀以使第一开口贯穿不定型碳掩膜层，第二开口延伸入不定型碳掩膜层中；采用第二刻蚀气体刻蚀以使第一开口贯穿层间介质层和刻蚀停止层，第二开口延伸入层间介质层中；采用第三刻蚀气体刻蚀以使第一开口显露富陷阱层，第二开口显露刻蚀停止层；采用第四刻蚀气体刻蚀刻蚀停止层以使第二开口显露半导体层。本发明中采用一道光罩工艺定义出富陷阱层通孔和电极接触通孔位置后，通过两